《智能制造发展指数报告(2020)》发布

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如图3c所示,智能制造指数随着PDA负载时间从6h增加到24h,NC@CMs的孔径从35.5nm逐渐减小到19.2nm。

并且,发展发布能够有效地降低器件的陷阱态密度。低结晶度的多孔PbI2薄膜可为FAI/MAI提供良好的扩散通道,有助于PbI2完全转化,报告很大程度上消除了PbI2残留,增加了PVK的晶粒尺寸和结晶度。

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因此,智能制造指数促进PbI2完全转化,对PVK薄膜形貌和结晶性进行改善,释放残余拉伸应力,同时对钙钛矿能级进行调控。作者发现MoSe2纳米片掺杂的PVK薄膜具有更好的结晶性以及更大的晶粒尺寸,发展发布这些特性有效抑制了非辐射复合,提高了开路电压。然而,报告通常溶解在二甲基甲酰胺(DMF)溶液中的碘化铅(Pbl2)倾向于在基底上形成层状致密膜,这不利于PbI2与FAI/MAI的反应,从而导致PbI2残留。

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作者最后进行了一系列电学表征,智能制造指数结果表明MoSe2纳米片的掺杂对器件的载流子复合有明显的抑制作用。同时,发展发布MoSe2纳米片掺杂的PSCs稳定性也得到了提升。

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背景介绍近年来,报告基于过程可控且可重复,报告易于形成垂直柱状颗粒,可以制备更厚的钙钛矿(PVK)吸收体,更适合规模化生产的两步法制备的n-i-p型钙钛矿太阳能电池(PSCs)实现了25%以上的认证效率。

在致密PbI2薄膜上制备的PVK薄膜往往结晶质量差,智能制造指数晶粒尺寸小,缺陷较多。从本届参展商的动作来看,发展发布更多企业关注办公环境系统的智能开发。

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